国产厂商突破存储技术瓶颈，预计需要 3到5年 时间实现全面突破，但不同领域进度不一，整体呈现分层推进的格局。当前，AI算力需求激增推动存储芯片涨价，三星电子在2026年第一季度将NAND闪存价格上调 100%以上，这凸显了国产替代的紧迫性，也为国内企业提供了市场窗口。

主流技术已并跑

在消费级存储市场，国产厂商已经和国际巨头站在了同一梯队。长江存储凭借自研的 Xtacking架构，实现了 294层3D NAND闪存的量产，良率稳定在 90%以上，性能与三星、美光同代产品持平，但成本低了 10%-15%。

其自主品牌“致态”SSD在京东自营平台的销量占比，从2023年的12%跃升至2024年的28%，芯片已进入华为、小米、联想、戴尔等大客户供应链。

另一边，长鑫存储在DRAM内存领域也追平了国际水平。其DDR5芯片最高速率达 8000Mbps，LPDDR5X速率达到 10667Mbps，19nm工艺良率超过 95%。2025年，长鑫存储全球DRAM市场份额已达 3.97%，位居全球第四。

这意味着，在手机、电脑等主流设备所需的存储芯片上，国产技术瓶颈基本被攻克，凭借稳定的产能和成本优势，正在快速提升市场份额。

HBM攻坚关键期

然而，决定AI算力上限的 高带宽内存（HBM），仍是国产存储需要翻越的最高一座山。当SK海力士在2024年率先量产12层堆叠的HBM3E时，长鑫存储的HBM3产品尚处于系统测试阶段，基于16纳米制程和8层堆叠，带宽为6400Mbps。

更关键的是，量产良率成为直接制约竞争力的瓶颈——长鑫存储HBM3的当前良率约 50%，而SK海力士的混合键合良率已高达 95%。

但追赶的速度比预想更快。国产供应链正在加速突围：

长鑫存储已完成HBM3工程样品开发，计划2026年实现量产。华为自研的 HiBL 1.0 HBM存储技术，为昇腾AI芯片量身定制，实现了供应链自主化，其搭载的昇腾950PR，HBM内存带宽达 4TB/s。国内封测企业如盛合晶微，其HBM3封装良率也已达到 95%，追平国际巨头。

综合来看，在HBM领域，国产技术与国际领先水平的差距已缩至 2-3年。要实现从“可用”到“好用”、具备市场竞争力，预计还需 3-5年 的持续攻坚和良率爬坡。

生态协同提速

技术突破的背后，是整个产业链的协同发力。国产存储不再单打独斗，而是与上游设备、材料企业深度绑定，构建自主生态。

例如，长江存储首条全国产化产线设备国产化率已达 45%，北方华创的刻蚀设备占其采购额四成多。

在核心材料环节，南大光电的ArF光刻胶已通过中芯国际14nm制程验证，彤程新材的KrF光刻胶则进入长江存储3D NAND产线，每月供应超5000升。这些突破逐步降低了对外部供应链的依赖。

产能扩张也在同步加速。长鑫存储募资 295亿元 加码扩产，目标在2026年将HBM专用产能提升至月产 5万片 晶圆。长江存储三期项目注册资本超 200亿元，目标将294层3D NAND月产能提升至 20万片 以上。

市场分析预计，国产存储自给率将从2024年的15%提升至2026年的 30% 左右。

更值得关注的是，国产芯片已开始进入国际供应链，例如长鑫存储作为“第二供应商”进入惠普的供应链体系。虽然地缘政治和专利壁垒仍是挑战，但国内企业正通过持续的客户验证和技术迭代，逐步积累信任。

这场突围战，节奏正在加快。